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    • 专利摘要:
    Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes, der geeignet ist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche (43), beispielsweise eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme, wiederzugeben. Dabei weist das Bild verschiedene Tönungen auf, die jeweils verschiedenen Bereichen der strukturierten Halbleiter-Oberfläche entsprechen. DOLLAR A Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein Referenzpunkt (33) eines zu analysierenden Bereichs (31, 32) ermittelt, und ein Abstandswert, der dem Abstand des Rands des zu analysierenden Bereichs (31, 32) unter einem Winkel alpha vom Referenzpunkt (33) entspricht, wobei alpha in Bezug auf eine durch den Referenzpunkt verlaufende Referenzlinie (35) gemessen wird, wird bestimmt und mit einem Vergleichswert verglichen, und aus dem Vergleich wird ein Bewertungsergebnis erhalten.
    公开号:DE102004031721A1
    申请号:DE102004031721
    申请日:2004-06-30
    公开日:2006-01-26
    发明作者:Harald Bloess；Carlos Mata
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:G06T7-40
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren sowie auf eineVorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes, der geeignet ist, einBild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben.
    [0002] Beider Herstellung von Halbleiterbauelementen wie beispielsweise DRAM-Speicherbausteinen("Dynamic RandomAccess Memory",dynamischer Schreib-Lese-Speicher mit wahlfreiem Zugriff), logischenSchaltungen, optoelektronischen Bauelementen oder MEMS ("Micro-Electro-Mechanical-Systems", mikroelektromechanischeSysteme) werden die zugehörigenintegrierten Schaltungen zunächstauf Waferebene prozessiert. Nach Beendigung der Fertigungsschrittewird der Wafer in Chips vereinzelt, die jeweils die entsprechendenSchaltungen enthalten, und zur Herstellung der Halbleiterbauelementein geeignete Gehäuseverpackt.
    [0003] ZurHerstellung von DRAM-Speicherbausteinen durchläuft der Wafer beispielsweiseeine Vielzahl von Strukturierungsschritten, bei denen unter anderemSchichten abgeschieden und insbesondere Vertiefungen in die Substratoberfläche geätzt werden.
    [0004] 7 zeigteine beispielhafte Querschnittsansicht durch einen zu einer DRAM-Speicherzelle gehörenden Grabenkondensatornach Durchführung desso genannten Single-Sided-Buried-Strap-Ätzschritts.In 7 ist auf der Oberfläche eines Silizium-Wafers 20 eineS13N4-Schicht 25 abgeschieden. Indie sich ergebende Oberflächeist ein Kondensatorgraben 24 geätzt, an dessen Rand nach Ausbildungeiner unteren Kondensatorelektrode (nicht gezeigt), eines Kondensatordielektrikums 23,und einer oberen Kondensatorelektrode (nicht gezeigt) jeweils einSiO2-Spacer 22 gebildet ist, derim fertigen Speicherkondensator als Isolationsgraben wirkt. Dersich ergebende Graben ist mit einer Polysiliziumfüllung 21 gefüllt. ZurVorbereitung der Kontaktbereiche zum Anschließen des Speicherkondensatorsan den Auswahltransistor wird im Single-Sided-Buried-Strap-Ätzschrittdie Polysiliziumfüllung 21 einseitigzurückgeätzt, sodass sich die in 7 gezeigte einseitige Vertiefunginnerhalb des geätztenTrenchgrabens 24 ergibt.
    [0005] Für die Weiterentwicklungbestehender Prozesse und Produkte sind Metrologie-Verfahren von besondererBedeutung. Durch sie wird beispielsweise nach Durchführung desSingle-Sided-Buried-Strap-Ätzschritts überprüft, ob diegeätzteVertiefung die vorgegebene Tiefe und Breite aufweist, ob der Bodenflach geätztist oder Auswölbungenaufweist. Ferner könnendurch Metrologie-Verfahren auftretende Verunreinigungen, wie beispielsweise beim Ätzen nichtvollständigentfernte Bereiche aber auch auftretende Schmutzpartikel nachgewiesen werden,die zu einem Ausfall des Bauelements führen. Weitere Defekte, diedurch Metrologie-Verfahren nachgewiesen werden können, sind insbesondere fehlendeoder deformierte Trenchgräbenoder aber auch Lunker innerhalb der Trenchgräben.
    [0006] Diedurch die Metrologie-Verfahren gewonnenen Erkenntnisse dienen einerseitsder Überwachungder einzelnen Prozessschritte, um sicherzustellen, dass die prozessiertenStrukturen die notwendigen Anforderungen erfüllen, andererseits dienen sieauch der Prozessoptimierung, da beispielsweise aufgrund der gewonnenenErkenntnisse für nachfolgendzu bearbeitende Wafer die Ätzparameterverändertwerden können.
    [0007] Für die Optimierungder Prozessparameter ist weiterhin wichtig, Variationen der Qualität der Trenchgräben festzustellen,die von ihrer Position auf dem Wafer abhängen.
    [0008] Einhäufigeingesetztes Metrologie-Verfahren ist die Raster-Elektronenmikroskopie (REM). Die 1A und 1B zeigen Ras ter-Elektronenmikroskop-Aufnahmender Oberflächeder in 7 dargestelltenStruktur. Dabei zeigt 1A Aufnahmenvon Trenchgräben,die als "gut" bewertet werden,während 1B Aufnahmen von Trenchgräben zeigt,die als "schlecht" bewertet werden.Die Auswertung derartiger REM-Bilder kann beispielsweise erfolgen,indem stichprobenartig Bilder bestimmter Trenchgräben visuelluntersucht werden.
    [0009] EinigeKriterien der visuellen Prüfungder REM-Bilder werden nachstehend veranschaulicht.
    [0010] 1C zeigt in ihrem oberenBereich eine schematische Darstellung der in dem in 1A gezeigten REM-Bild enthaltenen Draufsichtauf einen Trenchgraben. Der untere Teil der 1C zeigt die Zuordnung der im oberenTeil gezeigten Bereiche zu einer schematischen Querschnittsansichtder vermessenen Struktur entlang der Linie I-I.
    [0011] Bezugszeichen 30 bezeichnetden in 1A gezeigtenweißenRandbereich des Trenchgrabens. Bezugszeichen 32 bezeichnetden hellgrauen Bereich innerhalb des Trenchgrabens in 1A und Bezugszeichen 31 bezeichnetden schwarzen Bereich innerhalb des Trenchgrabens. Der weiße ovale Ringbereich 30 ergibtsich durch die Rückstreuung derElektronen an der Trenchgrabenkante 40, der graue Bereich 32 ergibtsich aus der Rückstreuung derElektronen an dem Absatzbereich 42, und der schwarze Bereich 31 ergibtsich aus der Rückstreuungder Elektronen am Boden des Trenchgrabenbereichs 41. Jegrößer dergraue Bereich 32 im Vergleich zum schwarzen Bereich 31 destogrößer die horizontaleAusdehnung des Absatzbereiches 42 im Vergleich zum Bodenbereich 41.
    [0012] Wieaus dem Vergleich von oberem und unterem Bereich von 1C weiterhin deutlich wird, gibtes keine 1:1-Übertragungder gezeigten Strukturen im Querschnitt auf das zu analysierende REM-Bild.Dies muss bei der Auswertung berücksichtigtwerden. Weitere Probleme bei der Auswertung ergeben sich aus der Tatsache,dass die Qualitätder Ätzungin letztendlich mehreren Ebenen bewertet werden muss, auf der Ebenedes Trenchgrabenbodens 41 und des Trenchgrabenabsatzes 42. Außerdem istdie Qualitätder Ätzungin mehreren Schnittrichtungen, also auch beispielsweise in einer zurRichtung I-I senkrechten Richtung wichtig für die Bewertung.
    [0013] Beieiner visuellen Auswertung der in 1C dargestelltenStruktur würdeman den Trenchgraben als "gut" bewerten, da dasVerhältnisder horizontalen Ausdehnung des Bereichs 42 im Vergleichzur horizontalen Ausdehnung des Bereichs 41 nicht zu groß ist. Darüber hinauserstreckt sich der Bereich 31 nicht zu sehr nach rechts,so dass der Bereich 42 in einem vorgesehenen Winkelbereichgeätztworden ist.
    [0014] Demgegenüber würde mandie in 1D gezeigte Strukturals "schlecht" bewerten. Hier zeigt derobere Teil der 1D dieDraufsicht auf den in dem in 1B gezeigtenREM-Bild enthaltenen Trenchgraben, während der untere Teil der zugeordneteQuerschnitt durch die Struktur entlang der Linie II-II ist.
    [0015] Wieerkennbar ist, ist der Anteil des schwarzen Bereichs 31 zuklein im Vergleich zum Flächeninhaltdes grauen Bereichs 32. Entsprechend ist die horizontaleAusdehnung des Bereichs 42 zu groß im Vergleich zur horizontalenAusdehnung des Bereichs 41. Andererseits erstreckt sichder auslaufende schwarze Bereich 31 am Rand jeweils zuweit nach rechts, so dass der Bereich 42 in Draufsichtin einem zu großenWinkelbereich geätztworden ist.
    [0016] Dievisuelle Auswertung ist dahingehend nachteilig, dass einerseitsbei größenordnungsmäßig mehrerenhundert Millionen Trenchgräbenpro Wafer eine unangemessen lange Zeit notwendig ist, um eine visuelle Überprüfung durchzuführen. Weiterhin trittdas Problem auf, dass eine Quantifizierung des Auswertungsergebnissesnicht möglichist.
    [0017] Einautomatisches Verfahren zur Auswertung betrifft das so genannteGolden-Image-Verfahren, bei dessen einfachster Ausführung Bilderbenachbarter Bereiche auf einem Wafer miteinander verglichen werden,um gegebenenfalls auftretende Abweichungen festzustellen. Tritteine Abweichung dieser Bilder auf, so muss anschließend einevisuelle Bewertung der Bilder vorgenommen werden. In diesem Fallkann nachgeschaltet auch ein nachstehend beschriebenes ADC-Verfahrendurchgeführtwerden.
    [0018] Eineweitere Verfeinerung des Golden-Image-Verfahrens besteht darin,die Bilder von beispielsweise hunderttausend Trenchgräben zu überlagernund anschließendBilder von Trenchgräbenmit diesem überlagertemBild zu vergleichen. Dieses Verfahren ist dahingehend nachteilig,dass eine sehr lange Anlernphase notwendig ist, bis zuverlässige Ergebnisseerzielt werden können.Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass auch hier kein quantifizierbaresAuswertergebnis erhalten wird.
    [0019] Beidem ADC-Verfahren (Automatic-Defect-Classification) können innerhalbeines REM-Bildes auftretende charakteristische Abbilder beispielsweiseeiner Verunreinigung oder eines Kratzers aufgrund seiner Form identifiziertwerden. Der entsprechende Trenchgraben wird aufgrund dieser nachgewiesenenForm entsprechend klassifiziert.
    [0020] Dervorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahrenund eine Vorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes, der geeignetist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben,bereitzustellen.
    [0021] Gemäß der vorliegendenErfindung wird die Aufgabe gelöstdurch ein Verfahren zum Auswerten eines Datensatzes, der geeignetist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben, wobei dasBild verschiedene Tönungenaufweist, die jeweils verschiedenen Bereichen der struk turierten Halbleiter-Oberfläche entsprechen,mit den Schritten (a) den Teilen des Datensatzes,die verschieden getönteBereiche wiedergeben, werden verschiedene Bereiche der strukturiertenHalbleiter-Oberflächezugeordnet; (b) ein Teil des Datensatzes, der einen zu analysierenden Bereichwiedergibt, wird ausgewählt, wobeidieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinaten mitzugehörigen,ausgewähltenTönungenumfasst; (c) eine Referenzpunkts-Ortskoordinate, die einem Referenzpunktdes zu analysierenden Bereichs entspricht, wird ermittelt; (d) ein Satz Referenzlinien-Ortskoordinaten, die einer durchen Referenzpunkt verlaufenden Referenzlinie entsprechen, wird ermittelt; (e) ein Abstandswert, der dem Abstand des Rands des zu analysierendenBereichs unter einem Winkel α vomReferenzpunkt entspricht, wobei α inBezug auf die Referenzlinie gemessen wird, wird bestimmt und miteinem Vergleichswert verglichen; und (f) aus dem Vergleich wird ein Bewertungsergebnis erhalten.
    [0022] Ausgangspunktfür dievorliegende Erfindung ist somit ein Datensatz mit einer Vielzahlvon Ortskoordinaten, denen jeweils eine Tönung zugeordnet ist. Wird einwie in 1A gezeigtes REM-Bild ausgewertet,so sind die verschiedenen Tönungenverschiedene Graustufen; je nach Art der auszuwertenden Bilder können esaber auch verschiedene Farbtönesein.
    [0023] Ineinem ersten Schritt werden den Teilen des Datensatzes, die verschiedengetönteBereiche wiedergeben, verschiedene Bereiche der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zugeordnet.Dabei werden beispielsweise benachbarten Ortskoordinaten, die denGrauwert G des Bereichs 32 aufweisen, der Bereich 32 zugeordnet.Es ist ebenfalls möglich,dass benachbarten Ortskoordinaten, die in einem vorgegebenen Grauwertbereich liegen,ein bestimmter Bereich der Halbleiter-Oberfläche zugeordnet wird.
    [0024] ImnächstenSchritt wird ein Teil des Datensatzes, der einen zu analysierendenBereich wiedergibt, ausgewählt.Hier kann beispielsweise ein Bereich benachbarter Ortskoordinatenmit einem vorgegebenen Grauwert oder Grauwertbereich, also auch mehrerenGrauwerten, ausgewähltwerden.
    [0025] Alsnächsteswird eine Referenzpunkt-Ortskoordinate ausgewählt. Diese kann insbesondereder Schwerpunkt des zu analysierenden Bereichs sein. Die Referenzpunkt-Ortskoordinatekann auch eine Ortskoordinate außerhalb des zu analysierendenBereichs sein. Wenn beispielsweise der weiße Randbereich in 1A analysiertwerden soll, so kann der Schwerpunkt des von ihm eingeschlossen Bereichsals Referenzpunkt-Ortskoordinateverwendet werden.
    [0026] Anschließend wirdein Satz Referenzlinien-Ortskoordinaten, die einer durch den Referenzpunktverlaufenden Referenzlinie entsprechen, ermittelt. Diese kann insbesondereeine Mittellinie sein, die den zu analysierenden Bereich in zweiflächengleicheHälftenteilt.
    [0027] Nachfolgendwird ein Abstandswert, der dem Abstand des Rands des zu analysierendenBereichs unter einem Winkel α vomReferenzpunkt entspricht, wobei α inBezug auf die Referenzlinie gemessen wird, bestimmt und mit einemVergleichswert verglichen.
    [0028] Dabeiwird der Abstand einer Grenze des zu analysierenden Bereichs vondem Referenzpunkt ermittelt. Wenn der Referenzpunkt innerhalb deszu analysierenden Bereichs liegt, dann hat die Grenze die Ortskoordinateder am weitesten von dem Referenzpunkt entfernten Position innerhalbdes zu analysierenden Bereichs.
    [0029] Wennder Referenzpunkt außerhalbdes zu analysierenden Bereichs liegt, dann gibt es zu jedem Winkelzwei Grenzen, eine erste mit einer Ortskoordinate der am wenigstenweit von dem Referenzpunkt entfernten Position innerhalb des zuanalysierenden Bereichs, und eine zweite mit einer Ortskoordinateder am weitesten von dem Referenzpunkt entfernten Position innerhalbdes zu analysierenden Bereichs.
    [0030] Wennunter dem vorgegebenen Winkel α keineGrenze vorliegt, weil sich der zu analysierende Bereich nicht zudiesem Winkel erstreckt, dann wird festgestellt, dass in einem bestimmtenAbstandsbereich kein Pixel mit dem vorgegebenen Tönungswert vorliegt,und beispielsweise der Abstandswert "0" zugeordnet.In diesem Fall ist es interessant, den Winkel zu bestimmen, biszu dem sich der zu analysierende Bereich erstreckt, also den Winkel,unter dem noch ein Pixel mit dem vorgegebenen Tönungswert auftritt, während untereinem etwas größeren oder kleinerenWinkel kein Pixel mit dem vorgegebenen Tönungswert mehr auftritt.
    [0031] Schließlich wirdaus dem Vergleich ein Bewertungsergebnis erhalten. Dieses kann messbar sein,indem beispielsweise eine prozentuale Abweichung oder eine Punktzahlzugeordnet wird.
    [0032] Dievorliegende Erfindung stellt somit ein Verfahren zum automatischen,quantitativen Auswerten von Bilddaten bereit.
    [0033] Daserfindungsgemäße Verfahrenkann automatisch erfolgen und beispielsweise parallel zu der Bildaufnahmedurchgeführtwerden. Entsprechend kann die erforderliche Zeitdauer für die Analyseentscheidend verkürztwerden, und es wird ein objektives Kriterium zur Bewertung der Bildererhalten.
    [0034] Dabeikann der Schritt (d) fürbeliebige Winkel wiederholt werden, so dass der Abstandswert in allenrelevanten Richtungen bestimmt werden kann.
    [0035] Wenndie Referenzlinie eine Mittellinie des zu analysierenden Bereichsist, kann insbesondere der Winkel α 90° betragen, und das Verfahrenkann fürbeliebige Positionen auf der Mittellinie wiederholt werden. Diesist insbesondere dann vorteilhaft, wenn länglich ausgedehnte Bereicheanalysiert werden.
    [0036] Erfindungsgemäß ist vorgesehen,dass der Vergleichswert ein Abstandswert ist, der dem Abstand desRands des zu analysierenden Bereichs unter einem Winkel 360°-α vom Referenzpunktentspricht. In diesem Fall wird insbesondere die Punktsymmetriedes Bereichs in Bezug auf den Referenzpunkt untersucht.
    [0037] DerVergleichswert kann auch ein Wert sein, der aus einer Mittelung über unterdemselben Winkel gemessenen Abstandswerten bei mehreren gleichartigenStrukturen gewonnen worden ist.
    [0038] Weiterhinkann der Vergleichswert aus einer zugehörigen Konstruktionszeichnungberechnet worden sein.
    [0039] Daserfindungsgemäße Verfahrenkann auch die Schritte (g) die Fläche deszu analysierenden Bereichs wird ermittelt; (h) die Flächewird mit einem Flächen-Vergleichswertverglichen; und (i) aus dem Vergleich wird ein Flächen-Bewertungsergebnis erhalten, umfassen,wobei die Schritte (g) bis (i) entweder in Kombination mit den Schritten(a) und (b) wie vorstehend beschrieben oder in Kombination mit den Schritten(a) bis (f) wie vorstehend beschrieben ausgeführt werden können.
    [0040] Dadurchwird ein besonders einfaches Verfahren zur Bewertung der zu untersuchendenStrukturen bereitgestellt.
    [0041] Dabeikann der Flächen-Vergleichswertein Wert sein, der aus einer Mittelung über ermittelte Flächen beimehreren gleich artigen Strukturen gewonnen worden ist. Der Flächen-Vergleichswert kann auchaus einer zugehörigenKonstruktionszeichnung berechnet worden sein.
    [0042] Daserfindungsgemäße Verfahrenkann darüberhinaus die Schritte (j) eine Anpassungskurve,die geeignet ist, die Grenzen des zu analysierenden Bereich entsprechendeinem theoretischen Modell zu beschreiben, wird rechnerisch ermittelt; (k) die Anpassungskurve wird mit einer Vergleichskurve verglichen;und (l) aus dem Vergleich wird ein Anpassungs-Bewertungsergebniserhalten, umfassen, die entweder nach Schritt (f) odernach Schritt (i) oder aber auch nach Schritt (b) wie vorstehenderläutertdurchgeführtwerden können.
    [0043] Andersgesagt, kann durch die in 1A gezeigtenBereiche eine Ellipse gelegt werden, die möglichst gut mit der jeweilsdargestellten Ellipse übereinstimmt,das heißt,bei der eine minimale Abweichung von ermittelter Ellipse und realenGrenzen der jeweiligen Bereiche auftritt. Dadurch wird eine Anpassungskurveermittelt, die mit einer Vergleichskurve verglichen werden kann.
    [0044] Dabeikann die Vergleichskurve eine Kurve sein, die aus einer Mittelung über Anpassungskurven beimehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist. Die Vergleichskurvekann auch eine Kurve sein, die aus einer Mittelung über gemessene Grenzenbei mehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist, und/oderaus einer zugehörigen Konstruktionszeichnungberechnet worden sein.
    [0045] Dievorliegende Erfindung stellt somit ein Verfahren bereit, mit dembestimmte Parameter des Bildes der strukturierten Halbleiter-Oberfläche mit entsprechendenParametern einer Vergleichsstruktur verglichen werden, um somitdie Qualitätder erzeugten Halbleiterstruktur quantitativ zu bewerten.
    [0046] Durchdas Verfahren, bei dem die Ausdehnung des zu analysierenden Bereichsunter verschiedenen Winkeln bestimmt und mit Vergleichswerten verglichenwird, werden Informationen gewonnen, inwieweit die Struktur in einemQuerschnitt an dem Trenchboden oder Trenchabsatz mit der Vergleichsstruktur übereinstimmt.
    [0047] Durchdas Verfahren, bei dem der Flächeninhaltdes zu analysierenden Bereichs bestimmt und mit einem Vergleichswertverglichen wird, wird überprüft, inwieweitdie horizontale Ausdehnung des entsprechenden Bereichs mit dem derVergleichsstruktur übereinstimmt.
    [0048] Durchdas Verfahren, bei dem eine Anpassungskurve, die geeignet ist, dieGrenzen des zu analysierenden Bereichs entsprechend einem theoretischenModell zu beschreiben, berechnet wird und mit einer Vergleichskurveverglichen wird, werden weitere Informationen gewonnen, inwieweitdie Struktur in einem Querschnitt an dem Trenchboden oder Trenchabsatzmit der Vergleichsstruktur übereinstimmt.
    [0049] Durcheine Kombination der Verfahren lässt sichdie Übereinstimmungder erzeugten Struktur mit einer Vergleichsstruktur besonders gutquantitativ erfassen.
    [0050] Daserfindungsgemäße Verfahrenumfasst somit mehrere Schritte zum Vergleichen. Durch Zusammenfassender jeweiligen Vergleichsergebnisse, das heißt dem Abstands-Bewertungsergebnis,dem Flächen-Bewertungsergebnisund dem Anpassungs-Bewertungsergebniskann, gegebenenfalls nach einer vorgenommenen Gewichtung, ein quantitativesGesamtergebnis der Auswertung erhalten werden.
    [0051] Dievorliegende Erfindung stellt darüberhinaus eine Vorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes nach Anspruch32, 35 und 37 bereit.
    [0052] Dievorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf diebegleitenden Zeichnungen nähererläutert.Es zeigen:
    [0053] 1A–1D REM-Bilderund deren Zuordnung;
    [0054] 2 eineschematische Darstellung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einerersten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung;
    [0055] 3 eineschematische Darstellung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einerzweiten und dritten Ausführungsformder vorliegenden Erfindung;
    [0056] 4A–4C eineweitere Anwendungsmöglichkeitder vorliegenden Erfindung;
    [0057] 5A–5C eineweitere Anwendungsmöglichkeitder vorliegenden Erfindung;
    [0058] 6A und 6B eineschematische Darstellung eines Rasterelektronenmikroskops mit einer erfindungsgemäßen Vorrichtungbzw. einen Wafer; und
    [0059] 7 eineQuerschnittsansicht durch ein zu vermessendes Profil.
    [0060] Daserfindungsgemäße Verfahrenzum Auswerten der Bilddaten wird nachfolgend erläutert werden. Aus Gründen einerbesseren Verständlichkeit wirddie Analyse anhand der mit einem Rasterelektronenmikroskop erzeugtenBilder wie in den 1A und 1B dargestellt,erläutertwerden. Zur Durchführungdes erfindungsgemäßen Verfahrenswerden jedoch selbstverständlichdie entsprechenden Bilddaten verarbeitet.
    [0061] 2 veranschaulichtschematisch die in 1A gezeigten Trenchgraben-Strukturen.Der Bereich 32 entspricht in etwa dem Absatzbereich 42 von 1C,und der Bereich 31 entspricht in etwa dem Trenchgrabenbodenbereichin 1C. Zur Bewertung der Qualität des geätzten Bereichs wird zunächst derBereich 31 analysiert.
    [0062] Ausgangspunktfür dieDurchführungdes erfindungsgemäßen Verfahrenssind Bilddaten, die beispielsweise in der in 6 gezeigtenSpeichereinrichtung 12 gespeichert sind. Die Bilddatenenthalten beispielsweise fürjedes Bildelement die Ortskoordinate (X,Y) sowie einen Tönungswert,beispielsweise einen Wert, der einer der 256 Graustufen entspricht.
    [0063] EinemTeil der Bilddaten mit einem bestimmten Ortskoordinatenbereich,der beispielsweise die Graustufe "hellgrau" aufweist, wird der Bereich 32 zugeordnet,einem anderen Teil der Bilddaten mit einem bestimmten Ortskoordinatenbereich,der die Graustufe "schwarz" aufweist, wird derBereich 31 zugeordnet, und einem weiteren Teil der Bilddatenmit einem bestimmten Ortskoordinatenbereich, der die Graustufen "weiß" und "weißgrau" aufweist, wird der Bereich 30 zugeordnet.
    [0064] Anschließend wirdder Teil der Bilddaten, denen der Bereich 31 zugeordnetist, als zu analysierender Bereich ausgewählt, und der Abstand der Grenzenvon einem Referenzpunkt wird unter verschiedenen Winkeln untersuchtund mit entsprechenden Vergleichswerten verglichen.
    [0065] Dazuwerden zunächsteine Referenzlinie sowie ein Referenzpunkt bestimmt. Als Referenzpunktwird im vorliegenden Fall der Schwerpunkt 33 des von demovalen Bereich 30 umschlossenen Bereich, der sich aus einerVerbindung der Bereiche 31 und 32 ergibt, gewählt. AlsReferenzlinie wird eine Mittelli nie 35 dieses Bereichsgewählt,die den verbundenen Bereich in zwei flächengleiche Hälften aufteilt.Nachfolgend wird eine Hilfslinie (nicht dargestellt) konstruiert,die die Mittellinie 35 unter einem rechten Winkel schneidetund den oberhalb und unterhalb der Hilfslinie liegenden Bereichder vereinigten Flächen 31 und 32 halbiert.Am Schnittpunkt zwischen Mittellinie 35 und der Hilfsliniebefindet sich der Schwerpunkt 33.
    [0066] Anschließend wirdeine Analyse des Bereichs 31 unter verschiedenen Winkeln α durchgeführt. α ist dabeider Winkel zwischen einer Referenzlinie 35, die zweckmäßigerweisedie Mittellinie ist, und einer Richtung, entlang derer der Abstandder Grenze des Gebiets 31 zum Schwerpunkt 33 bestimmtwird. Genauer gesagt wird ein Abstand zwischen dem Schwerpunkt 33 undeinem Endpunkt des Gebiets 31 unter dem Winkel α bestimmt.Sodann wird dieser Abstandswert mit einem Vergleichswert verglichen.In einem einfachsten Fall kann der Vergleichswert der Abstand unterdem Winkel 360° – α sein. Indiesem Fall wird also die Symmetrie des Bereichs 31 bzw. 32 bezüglich derMittellinie 35 untersucht.
    [0067] DerVergleichswert kann aber auch ein Wert sein, der aus der Überlagerungeiner Vielzahl von anderen Trenchgräben gemessenen Werten ermittelt wordenist. Weiterhin kann der Vergleichswert auch ein Wert sein, der auseiner Konstruktionszeichnung ermittelt worden ist.
    [0068] Beispielsweiselässt sichmit Hilfe der beschriebenen Winkelanalyse ein Winkel bestimmen, biszu dem sich in 2 der Bereich 31 nachoben erstreckt. Üblicherweiseist beispielsweise vorgesehen, dass sich der Bereich 31 biszu dem Winkel α = 90°, bezogenauf die Mittellinie, erstreckt, wobei Abweichungen um ±5° noch tolerierbarsind. Mit Hilfe der beschriebenen Winkelanalyse lässt sichnun ermitteln, ob der geätzteSingle-Sided-Buried-Strap diese Anforderung erfüllt.
    [0069] Dazuwird letztendlich das am weitesten oben liegende Pixel des Bereichs 31 ermittelt.Genauer gesagt, wird ein Winkel ermittelt, bei dem es noch ein Bildelementmit der Graustufe "schwarz" gibt, während eszu einem geringfügigkleinerem Winkel kein Bildelement mit der Graustufe "schwarz" mehr gibt, wobeider Winkel in Bezug auf die vom Schwerpunkt nach oben verlaufendeMittellinie gemessen wird.
    [0070] Diebeschriebene Messung kann fürverschiedene Winkel durchgeführtwerden, wobei die Übereinstimmungder gemessenen Werte mit den jeweiligen Vergleichswerten quantitativerfasst werden kann, indem beispielsweise eine Punktzahl vergeben wird.
    [0071] Dasbeschriebene Analyseverfahren ermöglicht eine Analyse der geätzten Bereichein einem Querschnitt parallel zum Trenchgrabenabsatz bzw. Trenchgrabenbodenauf Höhedes Trenchgrabenbodens bzw. Trenchgrabenabsatzes. Dabei wird, da dasVerfahren auf einem Vergleich mit einer Referenzstruktur beruht,insbesondere überprüft, inwieweitdie geätzteStruktur mit der Referenzstruktur übereinstimmt.
    [0072] Jenach Anforderung könnenweitere Analyseverfahren durchgeführt werden. Ein weiteres Analyseverfahrenbetrifft die Berechnung des Flächeninhaltsbeispielsweise des Bereichs 31, wie in 3 dargestellt.Dazu werden die Bildelemente, die den Graustufenwert des Bereichs 31 aufweisen,addiert bzw. die entsprechenden Ortskoordinaten mit dem entsprechendenGraustufenwert werden aufintegriert. Auch dieser Wert wird mit einemVergleichswert verglichen, der beispielsweise ein Wert sein kann,der aus der Überlagerungvieler Messungen gewonnen wurde oder aber aus einer Konstruktionszeichnungberechnet wurde. Die Übereinstimmung desgemessenen Wertes mit dem Vergleichswert kann hier auch wieder quantitativerfasst werden, indem beispielsweise eine Punktzahl vergeben wird.
    [0073] Durchdie Bestimmung des Flächeninhalts lässt sichjeweils die Flächeder geätztenStrukturen in verschiedenen Tiefen mit einem Referenzwert vergleichen.
    [0074] Gemäß einemweiteren erfindungsgemäßen Analyseverfahrenwird eine Anpassungskurve rechnerisch ermittelt, die geeignet ist,beispielsweise die aneinander gefügten Bereiche 31 und 32 bzw.nur den Bereich 31 entsprechend einem theoretischen Modellzu beschreiben. Um die Bereiche 31 und 32 wirdbeispielsweise eine Anpassungskurve 34a gelegt, die einerEllipse entspricht. Die Ellipse wird dabei derart ermittelt, dasssie den Bereich 31 und 32 möglichst gut beschreibt undeine möglichstgeringe Abweichung der realen Grenzen der Bereiche 31 und 32 vonder Anpassungskurve 34a auftritt. Die Berechnung der Anpassungskurveerfolgt dabei nach bekannten Verfahren.
    [0075] Weiterhinwird eine Anpassungskurve 34b rechnerisch ermittelt, diemit dem Abschluss des Bereichs 31 nach oben, das heißt, derGrenzflächezwischen 31 und 32 möglichst gut übereinstimmt.Auch die Berechnung dieser Anpassungskurve erfolgt nach bekanntenVerfahren.
    [0076] Anschließend werdendie ermittelten Anpassungskurven 34a, 34b mitVergleichskurven verglichen. Diese Vergleichskurven können beispielsweise wiederdurch die Überlagerungvon Anpassungskurven, die füreine Vielzahl von geätztenTrenchgräben nachprinzipiell demselben Verfahren ermittelt wurden, verglichen werden.Alternativ kann die ermittelte Anpassungskurve auch mit einer aufgrundder Konstruktionszeichnung ermittelten Vergleichskurve verglichenwerden.
    [0077] Auchdie Übereinstimmungder ermittelten Anpassungskurve mit einer Vergleichskurve kann quantitativerfasst werden, indem beispielsweise eine Punktzahl entsprechendder Bewertung vergeben wird. Durch die Ermittlung der Anpassungskurve lässt sichaus den REM-Bildern bestimmen, inwieweit die tatsächlich geätzte Strukturin verschiedenen Querschnitten auf Höhe des Trenchgrabenbodens bzw.Trenchgrabenabsatzes mit einer Referenzstruktur übereinstimmt.
    [0078] ZumAbschluss der Analyse der Daten werden die für die jeweiligen Verfahrenermittelten Punktzahlen mit geeigneter Gewichtung addiert, so dass einquantitatives Ergebnis der Auswertung erhalten wird. Dieses Ergebniskann dann in Abhängigkeitder Ortskoordinate auf dem Wafer ein- oder zweidimensional aufgetragenwerden.
    [0079] Esist natürlichauch möglich,dass bei einer besonders großenAbweichung bei einem einzelnen Analyseverfahren ein gesondertesBewertungsergebnis erhalten wird.
    [0080] Erfindungsgemäß ist vorgesehen,dass die vorstehend beschriebenen Verfahren einzeln oder aber auchin beliebiger Kombination ausgeführtwerden können.Ferner könnenzur Bewertung des geätztenSingle sided buried straps beispielsweise der Bereich 31 mitder beschriebenen Winkelanalyse untersucht werden, während derFlächeninhaltdes Bereichs 32 bestimmt und mit einem Vergleichswert verglichenwird, und die Anpassungskurven werden für jeweils den Bereich 31 undden mit dem Bereich 32 verbundenen Bereich 31 ermittelt.
    [0081] Durcheine Kombination der Analyseverfahren wird es somit möglich, auchkomplexere Strukturen mit charakteristischen Merkmalen in verschiedenenEbenen zu analysieren.
    [0082] 4 veranschaulicht eine weitere beispielhafteStruktur, die mit den erfindungsgemäßen Verfahren bewertet werdenkann. In 4A ist eine Vielzahl von ovalausgebildeten Strukturen 36 mit einer vorgegebenen Ausdehnungin X-Richtung und einer vorgegebenen Ausdehnung in Y-Richtung dargestellt.Die Bereiche 36 könnenbeispielsweise den mit einem isolierenden Material gefüllten Bereichennach einer STI-Ätzungentsprechen.
    [0083] Derlinke Teil der 4B veranschaulicht eine Vergleichsstruktur 38,die beispielsweise aus der Konstruktionszeichnung oder einer Mittelung über eineVielzahl von Einzelmessungen gewonnen wurde, während der rechte Teil der 4B einebeispielhafte zu vermessende Struktur 36 zeigt. Zur Vermessungder Struktur 36 wird wieder eine Referenzlinie ermittelt,die beispielsweise die Mittellinie 35 sein kann. Dieseist derart angeordnet, dass sie die Struktur 36 in zweiflächengleicheHälftenteilt.
    [0084] Weiterhinwird wiederum ein Referenzpunkt ermittelt, der beispielsweise derSchwerpunkt 33 der Struktur sein kann und nach demselbenVerfahren wie dem unter Bezugnahme auf die 2 beschriebenenVerfahren ermittelt wird. Anschließend wird eine Winkelanalyseanalog zu dem unter Bezugnahme auf 2 beschriebenenVerfahren durchgeführt. AlsVergleichswerte könnendabei jeweils die Werte verwendet werden, die anhand der Struktur 38 ermitteltwurden.
    [0085] Weiterhinkann die Ausdehnung in X-Richtung und Y-Richtung ermittelt werden.Dieser Wert kann dann jeweils mit dem Vergleichswert verglichen werden.Nachfolgend wird der Flächeninhaltder Struktur 36 ermittelt und mit einem Vergleichswert verglichen.
    [0086] Darauffolgend kann, wie in 4C angedeutet, eine Anpassungskurve 34 ermitteltwerden, die den Bereich 36 wiedergibt. Das Berechnen der Anpassungskurvekann wiederum nach prinzipiell bekannten Verfahren erfolgen. Anschließend wirddie ermittelte Anpassungskurve mit einer Vergleichskurve verglichen.
    [0087] 5 zeigt eine weitere zu vermessende Struktur 37,die in diesem Fall eine Anordnung von länglich ausgedehnten Streifenumfasst. 5B bzw. 5C zeigtmöglichereale Ausgestaltungen dieser länglichenStreifen 37. Zur Analyse der Bilddaten, die den in 5A dargestelltenBereich 37 wiedergeben, wird eine Winkelanalyse an verschiedenenReferenzpunkten auf einer Referenzlinie, die die Mittellinie 35 seinkann, unter beispielsweise einem festen Winkel durchgeführt. Zunächst wirdalso zur Durchführungdes in 5B dargestellten Verfahrenseine Mittellinie 35 ermittelt, die an einer Position liegt,so dass sie den zu analysierenden Bereich in zwei flächengleicheHälftenaufteilt.
    [0088] Sodannwird an verschiedenen Positionen auf der Mittellinie 35 dieAusdehnung des Bereichs 37 unter einem bestimmten Winkel α durchgeführt. Insbesonderekann der Winkel α 90° betragen.Der ermittelte Abstand wird mit einem Vergleichswert verglichen,der beispielsweise den Abstandswert in entgegengesetzter Richtungentspricht. Dadurch wird eine Symmetrie der Struktur 37 analysiert.Ergibt die Auswertung, dass die Struktur bezüglich der ermittelten Linie 35 starkasymmetrisch ist, so ist möglicherweiseeine Verlagerung der Linie 35 in der Weise vorzunehmen,dass eine größtmögliche Symmetrieauftritt.
    [0089] AlsNächsteswird, wie in 5C angedeutet, eine Anpassungskurveermittelt, die die Streifen 37 möglichst genau wiedergibt. Genauergesagt werden Streifen rechnerisch ermittelt, die einen möglichstguten Überlagerungsgradmit den Streifen 37 aufweisen. Die rechnerisch ermitteltenAnpassungsstreifen 34 werden mit Vergleichsstreifen verglichen. DieseVergleichsstreifen könnenaus einer Überlagerungvon vielen analogen Strukturen ermittelt werden oder aber auch auseiner Konstruktionszeichnung ermittelt werden.
    [0090] Analogzu den vorstehend beschriebenen Verfahren kann auch für die unterBezugnahme auf die 5 beschriebenenVerfahren fürjedes Einzelverfahren eine Punktzahl vergeben, so dass eine quantitativeBewertung der Qualitätder erzeugten Strukturen 37 ermöglicht wird.
    [0091] Dieunter Bezugnahme auf die in 5 beschriebenenAuswerteverfahren könnenbei allen streifenartigen Strukturen, beispielsweise nach dem Ätzen desaktiven Bereichs oder nach Durchführung der Gate-Oxidation durchgeführt werden.
    [0092] 6A veranschaulichtschematisch den Aufbau eines Rasterelektronenmikroskops mit einer Bildbearbeitungseinrichtung,die fürdie Durchführungdes erfindungsgemäßen Verfahrensgeeignet ist.
    [0093] In 6A bezeichnetBezugszeichen 1 eine Elektronenstrahlquelle zum Erzeugeneines Elektronenstrahls 2, der durch eine Ablenkeinrichtung 3 in XY-Richtungabgelenkt wird, Bezugszeichen 4 bezeichnet eine Objektivlinsezum Bündelndes Elektronenstrahls 2 auf das zu untersuchende Substrat.Bezugszeichen 8 bezeichnet eine Probenkammer, in der einzu untersuchender Wafer 5 auf einem in XY-Richtung bewegbarenProbenhalter bzw. Objektträger 6 gehaltenwird. Ein von dem Wafer 5 reflektierter Elektronenstrahlbzw. Sekundärelektronenstrahl 7 wirddurch eine ExB-Ablenkeinrichtung 9 abgelenkt und auf einenDetektor 10 gelenkt, in dem er nachgewiesen und gegebenenfallsverstärktwird. Das erzeugte Signal wird in einem A/D-Wandler 11 in ein digitalesSignal, das beispielsweise einer der 256 Graustufen entspricht,wie sie beispielsweise in den 1A und 1B dargestelltist, entspricht, umgewandelt und zusammen mit den entsprechenden Ortskoordinatenin einer Speichereinrichtung 12 gespeichert.
    [0094] Für die Funktionsweiseder vorliegenden Erfindung ist es unwichtig, auf welche Art diein der Speichereinrichtung 12 gespeicherten Bilddaten gewonnenwurden. Die Bilddaten könnenauch durch Scannen einer Aufnahme mit verschiedenen Tönungen,beispielsweise eines REM-Bildes erzeugt werden.
    [0095] Inder Bildbearbeitungseinrichtung 13 werden sodann die gespeichertenBilddaten verarbeitet. Die Bearbeitung der gespeicherten Bilddatenkann parallel zu dem Abtastvorgang, bei dem der Wafer 5 mitdem Elektronenstrahl 2 abgetastet wird, erfolgen.
    [0096] Genauergesagt umfasst die Bildbearbeitungseinrichtung eine Zuordnungseinrichtung 13a, diegeeignet ist, den Teilen des Datensatzes, die verschieden getönte Bereichwiedergeben, verschiedene Bereiche der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zuzuordnen.Dies kann eine Art Register sein, in dem beispielsweise einem bestimmtenGrauwert, zum Beispiel "schwarz", innerhalb einesbestimmten Ortskoordinatenbereichs ein bestimmter Bereich, zum Beispiel "31" zugeordnet ist.
    [0097] DieBildbearbeitungseinrichtung umfasst ferner eine Auswahleinrichtung 13b,die geeignet ist, einen Teil des Datensatzes, der einen zu analysierendenBereich wiedergibt, auszuwählen.In dem genannten Beispiel würdedie Auswahleinrichtung 13b, beispielsweise nachdem einOperateur als zu analysierenden Bereich den Trenchgrabenboden ineine nicht dargestellte Eingabeeinrichtung eingegeben hat, sämtlicheBilddaten mit dem Grauwert "schwarz" innerhalb des vorgegebenenOrtskoordinatenbereichs auswählen.
    [0098] DieBildbearbeitungseinrichtung umfasst darüber hinaus auch eine Einrichtung 13c,die geeignet ist, eine Referenzpunkts-Orskorrdinate, die eine Referenzpunktdes zu analysierenden Bereichs entspricht, zu ermitteln sowie eineEinrichtung 13d, die geeignet ist, einen Abstandswert,der dem Abstand des Rands des zu analysierenden Bereichs unter einemWinkel α vomReferenzpunkt entspricht, wobei α inBezug auf eine durch den Referenzpunkt verlaufende Hilfslinie gemessenwird, zu bestimmen und mit einem Vergleichswert zu vergleichen.
    [0099] Fernerumfasst die Bildbearbeitungseinrichtung, zusätzlich zu den Einrichtungen 13a, 13b oder aber 13a bis 13d eineEinrichtung 13e, die geeignet ist, die Fläche deszu analysierenden Bereichs zu ermitteln, und eine Einrichtung 13f,die geeignet ist, die Flächemit einem Flächen-Vergleichswertzu vergleichen
    [0100] Darüber hinausumfasst die Bildbearbeitungseinrichtung, zusätzlich zu den Einrichtungen 13a, 13b oderaber 13a bis 13d oder aber 13a, 13b, 13e und 13f eineEinrichtung 13g, die geeignet ist, eine Anpassungskurve,die geeignet ist, die Grenzen des zu analysierenden Bereich entsprechendeinem theoretischen Modell zu beschreiben, rechnerisch zu ermitteln,und eine Einrichtung 13h, die geeignet ist, die Anpassungskurvemit einer Vergleichskurve zu vergleichen.
    [0101] DasBewertungsergebnis wird auf einer Ausgabeeinrichtung 14 ausgegeben.
    [0102] 6B veranschaulichtschematisch einen Wafer 5 mit bei jedem Abtast-Vorganguntersuchten Bereichen 15. Bei derzeit verwendeten Rasterelektronenmikroskopenbeträgtder Flächeninhalteines jeden zu untersuchenden Bereichs 15 4 mm2. Üblicherweiseist ein Rasterelektronenmikroskop derart aufgebaut, dass der Objektträger 6 eineBewegung des Wafers in X-Richtungbewirkt, währenddie Ablenkeinrichtung 3 eine Ablenkung des Elektronenstrahlsin Y-Richtung verursacht oder umgekehrt.
    1 Elektronenstrahlquelle 2 Elektronenstrahl 3 Ablenkeinrichtung 4 Objektivlinse 5 Wafer 6 Objektträger 7 Sekundärelektronenstrahl 8 Probenkammer 9 Ablenkeinrichtung 10 Detektor 11 A/D-Wandler 12 Speichereinrichtung 13 Auswertevorrichtung 13a–13h Komponentender Auswertevorrichtung 14 Ausgabeeinrichtung 15 zuuntersuchender Bereich 20 Siliziumsubstrat 21 Polysiliziumfüllung22 Isolationskragen 23 Speicherdielektrikum 24 Trenchgraben 25 Si3N4-Schicht 30 weißer Bereich 31 schwarzerBereich 32 grauerBereich 33 Schwerpunkt 34a,b Anpassungskurve 35 Mittellinie 36 zuanalysierende Struktur 37 zuanalysierende Struktur 38 Referenz-Struktur 39 Randder zu analysierenden Struktur 40 Trenchgrabenkante 41 Trenchgrabenboden 42 Trenchgrabenabsatz 43 Halbleiter-Oberfläche
    权利要求:
    Claims (37)
    [1] Verfahren zum Auswerten eines Datensatzes, dergeeignet ist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben,wobei das Bild verschiedene Tönungenaufweist, die jeweils verschiedenen Bereichen der strukturiertenHalbleiter-Oberflächeentsprechen, mit den Schritten: (a) den Teilen des Datensatzes,die verschieden getönteBereiche wiedergeben, werden verschiedene Bereiche (30, 31, 32)der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zugeordnet; (b) einTeil des Datensatzes, der einen zu analysierenden Bereich (31)wiedergibt, wird ausgewählt,wobei dieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinatenmit zugehörigen,ausgewähltenTönungenumfasst; (c) eine Referenzpunkts-Ortskoordinate, die einem Referenzpunkt(33) des zu analysierenden Bereichs entspricht, wird ermittelt; (d)ein Satz Referenzlinien-Ortskoordinaten, die einer durch den Referenzpunkt(33) verlaufenden Referenzlinie (35) des zu analysierendenBereichs (31) entsprechen, wird ermittelt; (e) einAbstandswert, der dem Abstand des Rands (39) des zu analysierendenBereichs (31) unter einem Winkel α vom Referenzpunkt (33)entspricht, wobei α inBezug auf die Referenzlinie (35) gemessen wird, wird bestimmtund mit einem Vergleichswert verglichen; und (f) aus dem Vergleichwird ein Bewertungsergebnis erhalten.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass Schritt (e) fürbeliebige Winkel wiederholt wird.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,dass der Referenzpunkt der Schwerpunkt (33) des zu analysierendenBereichs ist.
    [4] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,dass die Referenzlinie die Mittellinie (35) des zu analysierendenBereichs (31) ist.
    [5] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,dass der Referenzpunkt (33) außerhalb des zu analysierendenBereichs liegt.
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch dieSchritte: ein Grenzwinkel des zu analysierenden Bereichs, wobeider zu analysierende Bereich (31) sich bis zu dem Grenzwinkelerstreckt, wird ermittelt; der Grenzwinkel wird mit einem Vergleichs-Grenzwinkelverglichen; und aus dem Vergleich wird ein Bewertungsergebniserhalten.
    [7] Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,dass der Winkel α 90° beträgt.
    [8] Verfahren nach Anspruch 4 oder 7, dadurch gekennzeichnet,dass das Verfahren fürbeliebige Positionen auf der Mittellinie (35) wiederholtwird.
    [9] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,dass der Vergleichswert ein Abstandswert ist, der dem Abstand desRands (39) des zu analysierenden Bereichs unter einem Winkel360°-α vom Referenzpunkt(33) entspricht.
    [10] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,dass der Vergleichswert ein Wert ist, der aus einer Mittelung über unterdemselben Winkel gemessenen Abstandswerten bei mehreren gleichartigenStrukturen gewonnen worden ist.
    [11] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,dass der Vergleichswert aus einer zugehörigen Konstruktionszeichnung berechnetworden ist.
    [12] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, gekennzeichnetdurch die Schritte (g) die Fläche des zu analysierenden Bereichs(31) wird ermittelt; (h) die Fläche wird mit einem Flächen-Vergleichswert verglichen; (i)aus dem Vergleich wird ein Flächen-Bewertungsergebniserhalten.
    [13] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet,dass der Flächen-Vergleichswertein Wert ist, der aus einer Mittelung über ermittelte Flächen beimehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist.
    [14] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet,dass der Flächen-Vergleichswertaus einer zugehörigenKonstruktionszeichnung berechnet worden ist.
    [15] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, gekennzeichnetdurch die Schritte (j) eine Anpassungskurve (34a, 34b),die geeignet ist, die Grenzen des zu analysierenden Bereichs (31, 32) entspre chendeinem theoretischen Modell zu beschreiben, wird rechnerisch ermittelt; (k)die Anpassungskurve (34a, 34b) wird mit einer Vergleichskurveverglichen; (l) aus dem Vergleich wird ein Anpassungs-Bewertungsergebniserhalten.
    [16] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve eine Kurve ist, die aus einer Mittelung über Anpassungskurven(34a, 34b) bei mehreren gleichartigen Strukturengewonnen worden ist.
    [17] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve eine Kurve ist, die aus einer Mittelung über gemesseneGrenzen bei mehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist.
    [18] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve aus einer zugehörigen Konstruktionszeichnung berechnetworden ist.
    [19] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, gekennzeichnetdurch den Schritt (m) aus dem Abstands-Bewertungsergebnis,dem Flächen-Bewertungsergebnisund dem Anpassungs-Bewertungsergebnis wird ein Gesamt-Bewertungsergebniserhalten.
    [20] Verfahren zum Auswerten eines Datensatzes, der geeignetist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben,wobei das Bild verschiedene Tönungenaufweist, die jeweils verschiedenen Bereichen der strukturiertenHalbleiter-Oberflächeentsprechen, mit den Schritten: (a) den Teilen des Datensatzes,die verschieden getönteBereiche wiedergeben, werden verschiedene Bereiche (30, 31, 32)der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zugeordnet; (b) einTeil des Datensatzes, der einen zu analysierenden Bereich (31)wiedergibt, wird ausgewählt,wobei dieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinatenmit zugehörigen,ausgewähltenTönungenumfasst; (c) die Flächedes zu analysierenden Bereichs wird ermittelt; (d) die Fläche wirdmit einem Flächen-Vergleichswert verglichen; (e)aus dem Vergleich wird ein Flächen-Bewertungsergebniserhalten.
    [21] Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet,dass der Flächen-Vergleichswertein Wert ist, der aus einer Mittelung über ermittelte Flächen beimehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist.
    [22] Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet,dass der Flächen-Vergleichswertaus einer zugehörigenKonstruktionszeichnung berechnet worden ist.
    [23] Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 22, gekennzeichnetdurch die Schritte (f) eine Anpassungskurve (34a, 34b),die geeignet ist, die Grenzen des zu analysierenden Bereich entsprechendeinem theoretischen Modell zu beschreiben, wird rechnerisch ermittelt; (g)die Anpassungskurve (34a, 34b) wird mit einer Vergleichskurveverglichen; (h) aus dem Vergleich wird ein Anpassungs-Bewertungsergebniserhalten.
    [24] Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 23, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve eine Kurve ist, die aus einer Mittelung über Anpassungskurvenbei mehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist.
    [25] Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve eine Kurve ist, die aus einer Mittelung über gemesseneGrenzen bei mehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist.
    [26] Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 25, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve aus einer zugehörigen Konstruktionszeichnung berechnetworden ist.
    [27] Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 26, gekennzeichnetdurch den Schritt (i) aus dem Flächen-Bewertungsergebnis unddem Anpassungs-Bewertungsergebniswird ein Gesamt-Bewertungsergebnis erhalten.
    [28] Verfahren zum Auswerten eines Datensatzes, der geeignetist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben,wobei das Bild verschiedene Tönungenaufweist, die jeweils verschiedenen Bereichen der strukturiertenHalbleiter-Oberflächeentsprechen, mit den Schritten: (a) den Teilen des Datensatzes,die verschieden getönteBereiche wiedergeben, werden verschiedene Bereiche (30, 31, 32)der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zugeordnet; (b) einTeil des Datensatzes, der einen zu analysierenden Bereich (31, 32)wiedergibt, wird ausgewählt, wobeidieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinaten mitzugehörigen,ausgewähltenTönungenumfasst; (c) eine Anpassungskurve (34a, 34b),die geeignet ist, die Grenzen (39) des zu analysierendenBereich entsprechend einem theoretischen Modell zu beschreiben,wird rechnerisch ermittelt; (d) die Anpassungskurve (34a, 34b)wird mit einer Vergleichskurve verglichen; (e) aus dem Vergleichwird ein Anpassungs-Bewertungsergebnis erhalten.
    [29] Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve eine Kurve ist, die aus einer Mittelung über Anpassungskurven (34a, 34b)bei mehreren gleichartigen Strukturen gewonnen worden ist.
    [30] Verfahren nach Anspruch 28 oder 29, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve eine Kurve ist, die aus einer Mittelung über gemessene Grenzen(39) bei mehreren gleichartigen Strukturen gewonnen wordenist.
    [31] Verfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 30, dadurch gekennzeichnet,dass die Vergleichskurve aus einer zugehörigen Konstruktionszeichnung berechnetworden ist.
    [32] Vorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes, dergeeignet ist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche (43)wiederzugeben, wobei das Bild verschiedene Tönungen aufweist, die jeweilsverschiedenen Bereichen (30, 31, 32)der strukturierten Halbleiter-Oberfläche entsprechen, umfassend: (a)eine Einrichtung (13a), die geeignet ist, den Teilen desDatensatzes, die verschieden getönteBereiche wiedergeben, verschiedene Bereiche (30, 31, 32)der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zuzuordnen; (b) eineEinrichtung (13b), die geeignet ist, einen Teil des Datensatzes,der einen zu analysierenden Bereich wieder gibt, auszuwählen, wobeidieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinaten mit zugehörigen, ausgewählten Tönungen umfasst; (c)eine Einrichtung (13c), die geeignet ist, eine Referenzpunkts-Ortskoordinate,die einem Referenzpunkt (33) des zu analysierenden Bereichsentspricht, zu ermitteln; (d) eine Einrichtung (13d),die geeignet ist, einen Abstandswert, der dem Abstand des Rands(39) des zu analysierenden Bereichs unter einem Winkel α vom Referenzpunktentspricht, wobei α inBezug auf eine durch den Referenzpunkt verlaufende Hilfslinie (35) gemessenwird, zu bestimmen und mit einem Vergleichswert zu vergleichen.
    [33] Vorrichtung nach Anspruch 32, gekennzeichnetdurch (e) eine Einrichtung (13e), die geeignet ist,die Fläche deszu analysierenden Bereichs zu ermitteln; und (f) eine Einrichtung(13f), die geeignet ist, die Fläche mit einem Flächen-Vergleichswertzu vergleichen.
    [34] Vorrichtung nach Anspruch 32 oder 33, gekennzeichnetdurch (g) eine Einrichtung (13g), die geeignet ist,eine Anpassungskurve (34a, 34b), die geeignetist, die Grenzen des zu analysierenden Bereich entsprechend einemtheoretischen Modell zu beschreiben, rechnerisch zu ermitteln; und (h)eine Einrichtung (13h), die geeignet ist, die Anpassungskurve(34a, 34b) mit einer Vergleichskurve zu vergleichen.
    [35] Vorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes, dergeeignet ist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche (43)wiederzugeben, wobei das Bild verschiedene Tönungen aufweist, die jeweilsverschiedenen Bereichen (30, 31, 32)der strukturierten Halbleiter-Oberfläche entsprechen, umfassend: (a)eine Einrichtung (13a), die geeignet ist, den Teilen desDatensatzes, die verschieden getönteBereiche wiedergeben, verschiedene Bereiche der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zuzuordnen; (b)eine Einrichtung (13b), die geeignet ist, einen Teil desDatensatzes, der einen zu analysierenden Bereich wiedergibt, auszuwählen, wobeidieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinaten mit zugehörigen, ausgewählten Tönungen umfasst; (c)eine Einrichtung (13e), die geeignet ist, die Fläche deszu analysierenden Bereichs zu ermitteln; und (d) eine Einrichtung(13f), die geeignet ist, die Fläche mit einem Flächen-Vergleichswertzu vergleichen.
    [36] Vorrichtung nach Anspruch 35, gekennzeichnetdurch (e) eine Einrichtung (13g), die geeignet ist,eine Anpassungskurve, die geeignet ist, die Grenzen des zu analysierendenBereich entsprechend einem theoretischen Modell zu beschreiben,rechnerisch zu ermitteln; und (f) eine Einrichtung (13h),die geeignet ist, die Anpassungskurve mit einer Vergleichskurvezu vergleichen.
    [37] Vorrichtung zum Auswerten eines Datensatzes, dergeeignet ist, ein Bild einer strukturierten Halbleiter-Oberfläche wiederzugeben,wobei das Bild verschiedene Tönungenaufweist, die jeweils verschiedenen Bereichen der strukturiertenHalbleiter-Oberflächeentsprechen, umfassend: (a) eine Einrichtung (13a),die geeignet ist, den Teilen des Datensatzes, die verschieden getönte Bereiche wiedergeben,verschiedene Bereiche der strukturierten Halbleiter-Oberfläche zuzuordnen; (b)eine Einrichtung (13b), die geeignet ist, einen Teil desDatensatzes, der einen zu analysierenden Bereich wiedergibt, auszuwählen, wobeidieser Teil des Datensatzes eine Vielzahl von Ortskoordinaten mit zugehörigen, ausgewählten Tönungen umfasst; (c)eine Einrichtung (13g), die geeignet ist, eine Anpassungskurve,die geeignet ist, die Grenzen des zu analysierenden Bereich entsprechendeinem theoretischen Modell zu beschreiben, rechnerisch zu ermitteln;und (d) eine Einrichtung (13h), die geeignet ist,die Anpassungskurve mit einer Vergleichskurve zu vergleichen.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE102004031721B4|2006-06-29|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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    2006-01-26| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2006-12-28| 8364| No opposition during term of opposition|
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    2015-10-13| R081| Change of applicant/patentee|Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE |
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